三星详细信息 GDDR7 和 1，000 层 V-NAND 计划-当前动态

(资料图)

三星正在寻求利用其深厚而多样的收入来源，并打算在未来加倍投资内存技术。该公司最近宣布(在新选项卡中打开)它不会减少其在新内存技术上的资本支出，包括最终将出现在未来最佳显卡中的GDDR7和用于最佳SSD的超高层V-NAND。尽管市场状况放缓，但它也不希望减少制造业。

该公司相信，其支出计划对于确保技术对竞争对手的主导地位是必要的，同时巩固其作为领先存储芯片制造商的地位。为此，三星押注于下一代制造工艺，这些工艺将允许在DRAM，VRAM和最密集的最新，最密集的NAND中扩展内存密度，从而为未来的数据密集型工作负载提供支持。

在DRAM领域，该公司宣布其最新的第五代10纳米级制造(1b)将在2023年之前开始推出批量芯片。正在对低于10nm的DRAM制造进行探索性研究，采用新的图案，材料和建筑设计，包括High-K门。三星领先于大多数竞争对手，这些竞争对手通常在14nm级节点上制造DRAM芯片。

三星的下一代GDDR7内存，肯定会为未来的图形加速器增光添彩，已经在生产中。它提供高达36 Gbps的速度，是GDDR6的18 Gbps的两倍。在这些数据速率下，384位内存总线将能够提供大约1.728 TB / s的带宽 - 比即将推出的RTX 4090的1 TB / s带宽大幅增加。这将确保GPU制造商有足够的带宽储备，而不必增加总线宽度，因为这将导致更昂贵的PCB，并可能对定价产生甚至更严重的影响。

至于NAND，三星是无可争议的山丘之王，该公司现在正在设计和原型设计其第9代和第10代V-NAND，与今天的技术相比，层密度略有增加。三星现在正在推出其第7代176层V-NAND，并计划在年底前发布基于其第8代230层设计的V-NAND芯片。后者将通过512 Gb芯片提供42%的密度增加。

但三星正着眼于密度的更大飞跃，并预计到2030年将实现1000层V-NAND设计。三星还继续致力于QLC(四级单元)技术，希望提高性能，同时增加存储位密度。

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